檢索結果：共20筆資料 檢索策略： "陳炤彰".cadvisor (精準) and ckeyword.raw="化學機械平坦化"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響，將鑽石修整技術應用…
2
化學機械平坦化/拋光（CMP）製程已被廣泛用於製造積體電路（IC)。為了使製造IC的成本降低，晶圓的尺寸越來越大，CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中，拋光墊表面形…
3
半導體為世上重大發明且與現代生活密不可分，隨著世代的進化變遷，不斷的追求微細化及線路層層堆疊而對於晶片的考驗也越來越嚴苛，全域平坦化表面將成為相當重要得關鍵技術。化學機械拋光/平坦化(Chemica…
4
本研究透過自行開發與改良的彩色共軛焦量測系統進行修整製程中，拋光墊表面形貌的量測；此外透過拋光墊修整軌跡模擬軟體，評估拋光墊之修整均勻性。實驗方法為固定修整器轉速15, 40, 65rpm對於拋光盤…
5
隨著科技日新月異地進步，從今日的12吋晶圓至未來即將進入的新世代18吋晶圓，半導體產品已成為人類的生活不可或缺之必需品，並隨著曝光微影的線寬持續降低，化學機械平坦化已成為半導體製程中關鍵的技術。而製…
6
自遠古時期的銅鏡、玉石、珠寶的研磨拋光到目前次奈米等級的半導體晶圓鏡面拋光，機械式拋光有其一定程度之極限，因此化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)是目…
7
化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)已成為積體電路製程之關鍵技術，其中拋光墊(Polishing Pad)在整個CMP製程中扮演相當重要的角…
8
拋光墊的物性和表面性質會強烈的影響到平坦化加工的效果和效率。除了物性和表面性質外，拋光墊的溝槽設計亦是重要的一環。良好的溝槽圖案具有增進拋光液的利用率、調整拋光液層、排除平坦化後的殘餘物和調整拋光墊…
9
在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
10
化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)目前已被廣泛應用於IC產業中，隨著近年來半導體線寬不斷縮減，CMP製程之穩定性與重現性不斷面臨挑戰。而在…